电子设备、显示装置、以及半导体装置和其驱动方法
2019-11-22

电子设备、显示装置、以及半导体装置和其驱动方法

本发明的显示装置的技术方案之一包括:抑制供应给负载的电流值的晶体管、第一保持电容、第二保持电容、以及包括第一开关至第四开关的像素,其中在所述第二保持电容中保持所述晶体管的阈值电压,然后将对应于视频信号的电位输入到所述像素中。像这样,通过在所述第二保持电容中保持所述阈值电压加对应于所述视频信号的电位中的与所述第一保持电容容量分割的电位的电压,来抑制由于晶体管的阈值电压的不均匀性而导致的电流值的不均匀性。因此,可以将所希望的电流供应给发光元件等的负载。另外,可以提供从由视频信号制定的亮度的偏差少的显示装置。

图57示出了将根据本发明的显示装置设置为与建筑物一体的其他实例。显示面板5701安装为与浴室5702-体,并且洗澡的人可以在洗澡之间视听显示面板5701。可以通过洗澡的人操作来在显示面板5701上显示信息。因此,其具有用作广告和娱乐装置的功能。

另外,作为晶体管的半导体层,除了非晶硅(a_Si:H)等的非晶半导体、半非晶半导体、微晶半导体构成的半导体膜以外,还可以使用多晶硅(p-Si:H)等的晶体半导体膜。

使用氧化硅膜、氮化硅膜或者氧氮化硅膜(SiOxNy)等绝缘膜并且以单层或两层以上的多个层形成基底膜1712。另外,使用溅射法、CVD法等形成基底膜1712即可。虽然在本实施方式中基底膜1712是单层,但是不用说它也可以是两层以上的多个层。

本发明的技术方案之一是一种半导体装置,其包括晶体管、第一保持电容、第二保持电容、第一开关、第二开关、第三开关和第四开关,其中,所述晶体管的源电极及漏电极的一方与像素电极电连接,所述晶体管的源电极及漏电极的一方通过所述第二保持电容与所述晶体管的栅电极电连接,所述晶体管的源电极及漏电极的另一方通过所述第二开关与第一布线电连接,所述晶体管的源电极及漏电极的另一方通过所述第三开关与所述晶体管的栅电极电连接,所述晶体管的栅电极通过所述第一保持电容及所述第四开关与第二布线电连接,并且所述晶体管的栅电极通过所述第一保持电容及所述第一开关与第三布线电连接。

当只有相对电极1727由具有透光性的物质形成时,如图19A所示,通过相对电极1727从与衬底相反一侧提取发光。另外,当只有像素电极1724由具有透光性的物质形成时,如图19B所示,通过像素电极1724从衬底一侧提取发光。当像素电极1724及相对电极1727两者都由具有透光性的物质形成时,如图19C所示,通过像素电极1724及相对电极1727从衬底一侧及与衬底相反一侧两侧提取发光。

作为用于发光材料的母体材料,可以使用硫化物、氧化物或氮化物。作为硫化物,例如可以使用硫化锌(ZnS)、硫化镉(CdS)、硫化钙(CaS)、硫化钇(Y2S3)、硫化镓(Ga2S3)、硫化锶(SrS)或硫化钡(BaS)等。另外,作为氧化物,例如可以使用氧化锌(ZnO)或氧化钇(Y2O3)等^另外,作为氮化物,例如可以使用氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)或氮化铟(InN)等^而且,还可以使用硒化锌(ZnSe)或碲化锌(ZnTe)等,也可以使用硫化钙-镓(CaGa2S4)、硫化锶-镓(SrGa2S4)或硫化钡-镓(BaGa2S4)等的三元混晶。

图8是说明实施方式1所示的显示装置的写入工作的图;

专利文献3也公开了:对驱动TFT的阈值电压加上数据电位后的电压相当于栅-源电压,并且即使在TFT的阈值电压变动时,流过的电流也不会改变。